창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7772DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7772DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1084pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 29.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7772DP-T1-GE3TR SI7772DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7772DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7772DP-, SI7772DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CMF553R0100FKRE | RES 3.01 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553R0100FKRE.pdf | |
![]() | HC02AXJ2 | HC02AXJ2 ORIGINAL SMD or Through Hole | HC02AXJ2.pdf | |
![]() | MX25L3205DM2C-12G PB | MX25L3205DM2C-12G PB MXIC SOP-8(200MIL) | MX25L3205DM2C-12G PB.pdf | |
![]() | AM29C982JI | AM29C982JI AMD PLCC28 | AM29C982JI.pdf | |
![]() | HD74LS01 | HD74LS01 HIT DIP | HD74LS01.pdf | |
![]() | BYV79E200 | BYV79E200 PHILIPS SMD or Through Hole | BYV79E200.pdf | |
![]() | CD54F05F | CD54F05F TI/HAR CDIP | CD54F05F.pdf | |
![]() | TMP86PH06 | TMP86PH06 TOSHIBA DIP-42 | TMP86PH06.pdf | |
![]() | CDB4392 | CDB4392 CirrusLogic SMD or Through Hole | CDB4392.pdf | |
![]() | TP4303AN | TP4303AN NSC DIP14 | TP4303AN.pdf | |
![]() | RNF1/4T23321%R | RNF1/4T23321%R SEI SMD or Through Hole | RNF1/4T23321%R.pdf |