창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7738DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7738DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 7.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2100pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7738DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7738DP, SI7738DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | UNR-1.8/10-D3SM | UNR-1.8/10-D3SM DATEL SMD or Through Hole | UNR-1.8/10-D3SM.pdf | |
![]() | LTST-S220KGKTH-G | LTST-S220KGKTH-G LITEON 2.10(L | LTST-S220KGKTH-G.pdf | |
![]() | B1100 | B1100 NEC TO220-3P | B1100.pdf | |
![]() | PNX85507EB/M10941280 | PNX85507EB/M10941280 ORIGINAL BGA | PNX85507EB/M10941280.pdf | |
![]() | BZT52C3V9(3.9V) | BZT52C3V9(3.9V) HT SOD323 | BZT52C3V9(3.9V).pdf | |
![]() | 1-104482-9 | 1-104482-9 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1-104482-9.pdf | |
![]() | 400V-150UF | 400V-150UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V-150UF.pdf | |
![]() | 4202-001227 | 4202-001227 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4202-001227.pdf | |
![]() | RO-3.309S/H | RO-3.309S/H RECOM DIPSIP | RO-3.309S/H.pdf | |
![]() | PX-3099 | PX-3099 MEG-COM DIP | PX-3099.pdf | |
![]() | EMVY800GDA471MMN0S | EMVY800GDA471MMN0S Nippon SMD | EMVY800GDA471MMN0S.pdf |