창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7658ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7658ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4590pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7658ADP-T1-GE3TR SI7658ADPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7658ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7658ADP, SI7658ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
TA205PA330RJE | RES 330 OHM 5W 5% RADIAL | TA205PA330RJE.pdf | ||
200PF 500V | 200PF 500V SEMCO MCM1010 | 200PF 500V.pdf | ||
ZBF253D-00-H | ZBF253D-00-H TDK DIP | ZBF253D-00-H.pdf | ||
268-5401-52-1102JH | 268-5401-52-1102JH M SMD or Through Hole | 268-5401-52-1102JH.pdf | ||
APA5308-18AC-TRL | APA5308-18AC-TRL ANPEC SOT23 | APA5308-18AC-TRL.pdf | ||
S-89210ACNC | S-89210ACNC SEIKO SOT-353 | S-89210ACNC.pdf | ||
TAJB335K016RAC | TAJB335K016RAC AVX SMD | TAJB335K016RAC.pdf | ||
CD5313 | CD5313 MICROSEMI SMD | CD5313.pdf | ||
PTZTE252.7B | PTZTE252.7B ROHM SMD or Through Hole | PTZTE252.7B.pdf | ||
HP2430 (HCPL-2430) | HP2430 (HCPL-2430) HP DIP-8 | HP2430 (HCPL-2430).pdf | ||
SDT7210L65C | SDT7210L65C IDT SMD or Through Hole | SDT7210L65C.pdf |