창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7623DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7623DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5460pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7623DN-T1-GE3TR SI7623DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7623DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7623DN-, SI7623DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8918BE-13-33E-20.000000D | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT8918BE-13-33E-20.000000D.pdf | ||
TBH25PR047JE | RES 0.047 OHM 25W 5% TO220 | TBH25PR047JE.pdf | ||
K6R4004C1A-JE17 | K6R4004C1A-JE17 SAMSUNG SOJ32 | K6R4004C1A-JE17.pdf | ||
S-1111B50MC-NZJ-TG | S-1111B50MC-NZJ-TG SEIKO SOT23-5 | S-1111B50MC-NZJ-TG.pdf | ||
TNETX4090CGP | TNETX4090CGP TI BGA | TNETX4090CGP.pdf | ||
BW64 | BW64 BW SOP16 | BW64.pdf | ||
FQU1N60C_NL | FQU1N60C_NL FAIR TO-251 | FQU1N60C_NL .pdf | ||
LT1133ACSWPBF | LT1133ACSWPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1133ACSWPBF.pdf | ||
NCD151J100N1500F | NCD151J100N1500F NICCOMPONENTS SMD or Through Hole | NCD151J100N1500F.pdf | ||
54FCT574ADMQR | 54FCT574ADMQR NS CDIP | 54FCT574ADMQR.pdf | ||
SCI-AT12003 | SCI-AT12003 ORIGINAL QFP | SCI-AT12003.pdf |