창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7464DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7464DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7464DP-T1-GE3TR SI7464DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7464DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7464DP-, SI7464DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
100A470JW150XT | 47pF 150V 세라믹 커패시터 P90 비표준 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | 100A470JW150XT.pdf | ||
0FLQ2.25T | FUSE CRTRDGE 2.25A 500VAC/300VDC | 0FLQ2.25T.pdf | ||
ICL7109MDL/883B | ICL7109MDL/883B INTERSIL SMD or Through Hole | ICL7109MDL/883B.pdf | ||
VI-B7X-IU | VI-B7X-IU VICOR SMD or Through Hole | VI-B7X-IU.pdf | ||
ADR5044ART-REEEL7 | ADR5044ART-REEEL7 AD SOT23-3 | ADR5044ART-REEEL7.pdf | ||
B57431-V2102-K060 | B57431-V2102-K060 EPCOS SMD or Through Hole | B57431-V2102-K060.pdf | ||
NJM2732RB1-TE2-#ZZZB | NJM2732RB1-TE2-#ZZZB JRC SMD or Through Hole | NJM2732RB1-TE2-#ZZZB.pdf | ||
S29355 | S29355 N/A DIP8 | S29355.pdf | ||
RH5VL55CA-T1-F | RH5VL55CA-T1-F RICOH SOT-89 | RH5VL55CA-T1-F.pdf | ||
NP5400-BAIC | NP5400-BAIC AMCC BGA | NP5400-BAIC.pdf | ||
PAH150S48-15 | PAH150S48-15 LAMBDA SMD or Through Hole | PAH150S48-15.pdf | ||
BStD0240 | BStD0240 SIEMENS Module | BStD0240.pdf |