창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7456DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7456DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7456DP-T1-GE3TR SI7456DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7456DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7456DP-, SI7456DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | J7KN-62 24D | Contactor Relay 3PST (3 Form A) 24VDC Coil DIN Rail | J7KN-62 24D.pdf | |
![]() | RG1005N-1071-D-T10 | RES SMD 1.07KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-1071-D-T10.pdf | |
![]() | PPT0002DFR5VB | Pressure Sensor ±2 PSI (±13.79 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0002DFR5VB.pdf | |
![]() | KSA1013O | KSA1013O FSC SMD or Through Hole | KSA1013O.pdf | |
![]() | NRLM223M50V35x50F | NRLM223M50V35x50F NIC DIP | NRLM223M50V35x50F.pdf | |
![]() | S3F8285XZZ-QW85 | S3F8285XZZ-QW85 ORIGINAL MCU | S3F8285XZZ-QW85.pdf | |
![]() | CB2012GA300 | CB2012GA300 SAMWHA SMD or Through Hole | CB2012GA300.pdf | |
![]() | 4050MOYOQEES | 4050MOYOQEES INTEI SMD or Through Hole | 4050MOYOQEES.pdf | |
![]() | 74VHC14FT | 74VHC14FT TOSHIBA SMD or Through Hole | 74VHC14FT.pdf | |
![]() | NK615K | NK615K ORIGINAL SOP | NK615K.pdf | |
![]() | NNP70165 | NNP70165 ORIGINAL SOP16 | NNP70165.pdf | |
![]() | OPA875IDGKR | OPA875IDGKR TI MSOP8 | OPA875IDGKR.pdf |