창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7386DP-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7386DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7386DP-T1-E3TR SI7386DPT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7386DP-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7386DP, SI7386DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | FPDB40PH60B | IC PFC CONTROLLER SPM27GC | FPDB40PH60B.pdf | |
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|  | 78M05/T0252 | 78M05/T0252 ORIGINAL DIPSMD | 78M05/T0252.pdf | |
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|  | CPC5621EVAL-CDL | CPC5621EVAL-CDL Clare Onlyoriginal | CPC5621EVAL-CDL.pdf | |
|  | LTC2452CTS8#PBF/ITS8 | LTC2452CTS8#PBF/ITS8 LT SMD or Through Hole | LTC2452CTS8#PBF/ITS8.pdf | |
|  | NTS0104GU12 | NTS0104GU12 NXPSemiconductors SMD or Through Hole | NTS0104GU12.pdf | |
|  | MU9C4148W-TCC | MU9C4148W-TCC MUSIC SMD or Through Hole | MU9C4148W-TCC.pdf |