창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7370ADP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7370ADP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 69.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7370ADP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7370ADP, SI7370ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 199D474X9050A6B1E3 | 0.47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D474X9050A6B1E3.pdf | |
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![]() | 20L60V | 20L60V ORIGINAL TO262 | 20L60V.pdf | |
![]() | ZVN3308 | ZVN3308 ZETEX SMD or Through Hole | ZVN3308.pdf | |
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![]() | 9555G3C-HSB-E | 9555G3C-HSB-E HUIYUAN ROHS | 9555G3C-HSB-E.pdf | |
![]() | LP3470IM5-3.O8 | LP3470IM5-3.O8 NS SOT-153 | LP3470IM5-3.O8.pdf | |
![]() | 252-122 | 252-122 ORIGINAL NEW | 252-122.pdf | |
![]() | HN58V66AT10E | HN58V66AT10E RENESAS SMD or Through Hole | HN58V66AT10E.pdf | |
![]() | 50VXP10000M35X45 | 50VXP10000M35X45 Rubycon DIP-2 | 50VXP10000M35X45.pdf | |
![]() | HPEF-ICT-00017 | HPEF-ICT-00017 ORIGINAL QFP | HPEF-ICT-00017.pdf |