창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7336ADP-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7336ADP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 5.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7336ADP-T1-E3TR SI7336ADPT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7336ADP-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7336ADP, SI7336ADP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ALD1108EPCL | MOSFET 4N-CH 10V 16DIP | ALD1108EPCL.pdf | |
![]() | AD1846JP1846XP | AD1846JP1846XP ANALOGDEVICE SMD or Through Hole | AD1846JP1846XP.pdf | |
![]() | TMCGD6ST2740C | TMCGD6ST2740C C&K SMD or Through Hole | TMCGD6ST2740C.pdf | |
![]() | 6R3TCMS330M | 6R3TCMS330M ORIGINAL B | 6R3TCMS330M.pdf | |
![]() | SST89E54RC-40-I-PIE | SST89E54RC-40-I-PIE SST SMD or Through Hole | SST89E54RC-40-I-PIE.pdf | |
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![]() | MCD56-12IO8 | MCD56-12IO8 IXYS SMD or Through Hole | MCD56-12IO8.pdf | |
![]() | PIC16F876-I/SO | PIC16F876-I/SO ORIGINAL SOP28 | PIC16F876-I/SO .pdf | |
![]() | CX81400-07P1 | CX81400-07P1 CONEXANT BGA | CX81400-07P1.pdf |