창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7309DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7309DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 19.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7309DN-T1-E3TR SI7309DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7309DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7309DN, SI7309DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ECS-147-20-23A-TR | 14.7456MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-147-20-23A-TR.pdf | |
![]() | HA72E-06R10LFTR13 | 100nH Unshielded Molded Inductor 26.2A 1.7 mOhm Max 2-SMD | HA72E-06R10LFTR13.pdf | |
![]() | ADW10006Z-0 | ADW10006Z-0 ANA TW31 | ADW10006Z-0.pdf | |
![]() | TB-432-8A+ | TB-432-8A+ MINI SMD or Through Hole | TB-432-8A+.pdf | |
![]() | EP20L160EBC356-3 | EP20L160EBC356-3 ORIGINAL BGA | EP20L160EBC356-3.pdf | |
![]() | 1364635-1 | 1364635-1 ORIGINAL Connector | 1364635-1.pdf | |
![]() | SMM2302CDS-T1-GE3 | SMM2302CDS-T1-GE3 Vishay SOT23 | SMM2302CDS-T1-GE3.pdf | |
![]() | EFP10K10QI208-3 | EFP10K10QI208-3 ALTERA QFP | EFP10K10QI208-3.pdf | |
![]() | 41M8288ESDPQ | 41M8288ESDPQ BM-POWE BGA | 41M8288ESDPQ.pdf | |
![]() | MD9603 | MD9603 HIAOA DIP | MD9603.pdf | |
![]() | 2SJ106-Y (TE85L | 2SJ106-Y (TE85L TOSHIBA SOT-23 | 2SJ106-Y (TE85L.pdf | |
![]() | RV4277ED | RV4277ED Raytheon SOP-8 | RV4277ED.pdf |