창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7309DN-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7309DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 19.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7309DN-T1-E3TR SI7309DNT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7309DN-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7309DN, SI7309DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1887U1H330JZ01D | 33pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H330JZ01D.pdf | |
![]() | 0AGC.500V | FUSE GLASS 500MA 32VAC/VDC | 0AGC.500V.pdf | |
![]() | AD5962-9312601MA | AD5962-9312601MA AD DIP28 | AD5962-9312601MA.pdf | |
![]() | AT28C64E-12PI | AT28C64E-12PI ATMEL DIP | AT28C64E-12PI.pdf | |
![]() | 1206NPO822J9BB | 1206NPO822J9BB PHILIPS SMD or Through Hole | 1206NPO822J9BB.pdf | |
![]() | 2608A | 2608A SC SOP8 | 2608A.pdf | |
![]() | 74LX1G07STR | 74LX1G07STR ST SOT23-5L | 74LX1G07STR.pdf | |
![]() | HERAF808G | HERAF808G TSC SMD or Through Hole | HERAF808G.pdf | |
![]() | CXD1910A | CXD1910A SONY QFP | CXD1910A.pdf | |
![]() | N141XB-L04 | N141XB-L04 QIMEI SMD or Through Hole | N141XB-L04.pdf | |
![]() | 2SA1873 | 2SA1873 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1873.pdf | |
![]() | LS161-B | LS161-B AT&T DIP | LS161-B.pdf |