창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7308DN-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7308DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 5.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 665pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 19.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7308DN-T1-E3TR SI7308DNT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7308DN-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7308DN, SI7308DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C109D5GACTU | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C109D5GACTU.pdf | |
![]() | PFRA.135 | FUSE PTC 1.35A 30V RESET RADIAL | PFRA.135.pdf | |
![]() | SM2615FT698R | RES SMD 698 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT698R.pdf | |
![]() | R2S-6.3V220MD1 | R2S-6.3V220MD1 ELNA DIP | R2S-6.3V220MD1.pdf | |
![]() | AA07-S010VA1-R6000 | AA07-S010VA1-R6000 JAE SMD or Through Hole | AA07-S010VA1-R6000.pdf | |
![]() | 414002-3 | 414002-3 AMP/WSI SMD or Through Hole | 414002-3.pdf | |
![]() | DS1230Y 100 | DS1230Y 100 DALLAS SMD or Through Hole | DS1230Y 100.pdf | |
![]() | 12146144 | 12146144 POWERSIGNALGROUP SMD or Through Hole | 12146144.pdf | |
![]() | LTC2181CUP | LTC2181CUP LINEAR QFN64 | LTC2181CUP.pdf | |
![]() | BY-15 | BY-15 ORIGINAL SMD or Through Hole | BY-15.pdf | |
![]() | RZ1H686M0811M | RZ1H686M0811M samwha DIP-2 | RZ1H686M0811M.pdf |