창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7170DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7170DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4355pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7170DP-T1-GE3TR SI7170DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7170DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7170DP-, SI7170DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GL15T-E3-08 | TVS DIODE 15VWM 33VC SOT23 | GL15T-E3-08.pdf | |
![]() | STDLED625H | MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK | STDLED625H.pdf | |
![]() | 1638R-18J | 620µH Unshielded Molded Inductor 93mA 25.9 Ohm Max Axial | 1638R-18J.pdf | |
![]() | AH183WL | AH183WL DIODES SC-59-3 | AH183WL.pdf | |
![]() | SCC298BC1A84 | SCC298BC1A84 N/A PLCC84 | SCC298BC1A84.pdf | |
![]() | E5366-000011 | E5366-000011 ORIGINAL SMD or Through Hole | E5366-000011.pdf | |
![]() | TS80C31X2-MIA | TS80C31X2-MIA TEMIC DIP | TS80C31X2-MIA.pdf | |
![]() | TP13054ABW | TP13054ABW TI SOP16 | TP13054ABW.pdf | |
![]() | MPC932P | MPC932P MOT QFP | MPC932P.pdf | |
![]() | P728 | P728 ST DFN10 | P728.pdf | |
![]() | 74HC126SJ | 74HC126SJ FSC SOP165.2MM | 74HC126SJ.pdf |