창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7135DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7135DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8650pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7135DP-T1-GE3TR SI7135DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7135DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7135DP-, SI7135DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
IMC1210ERR22J | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 484mA 320 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ERR22J.pdf | ||
Y00074K02000F9L | RES 4.02K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00074K02000F9L.pdf | ||
A617308V-12 | A617308V-12 AMIC TSOP-32 | A617308V-12.pdf | ||
ICE2A0565Z) | ICE2A0565Z) INF DIP | ICE2A0565Z).pdf | ||
MMBT8550L(ROHS) | MMBT8550L(ROHS) MOT/ON SOP | MMBT8550L(ROHS).pdf | ||
HCD66725 | HCD66725 HITACHI SMD or Through Hole | HCD66725.pdf | ||
LT1485IN8/IS8 | LT1485IN8/IS8 LINEAR SO-8 | LT1485IN8/IS8.pdf | ||
ERG2SJ102 | ERG2SJ102 PANASONIC SMD or Through Hole | ERG2SJ102.pdf | ||
TLP130(GB) | TLP130(GB) TOSHIBA SOP-5 | TLP130(GB).pdf | ||
AM79484-2JC/-4JC | AM79484-2JC/-4JC AMD PLCC32 | AM79484-2JC/-4JC.pdf | ||
2SK94L-X3 | 2SK94L-X3 NEC N A | 2SK94L-X3.pdf | ||
NB2305AC1DG | NB2305AC1DG ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | NB2305AC1DG.pdf |