창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7110DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7110DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 21.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7110DN-T1-E3TR SI7110DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7110DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7110DN, SI7110DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EKYA350ELL681MJ20S | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | EKYA350ELL681MJ20S.pdf | ||
RG2012V-1070-P-T1 | RES SMD 107 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-1070-P-T1.pdf | ||
CRA06S083309RFTA | RES ARRAY 4 RES 309 OHM 1206 | CRA06S083309RFTA.pdf | ||
TNETD5012A | TNETD5012A ORIGINAL TQFP | TNETD5012A.pdf | ||
ILC7362CP-30 | ILC7362CP-30 FAIRCHILD SOT-89 | ILC7362CP-30.pdf | ||
FSMS0180F1 | FSMS0180F1 LGINNOTEK 3KR | FSMS0180F1.pdf | ||
EW402/EW502 | EW402/EW502 ORIGINAL SMD or Through Hole | EW402/EW502.pdf | ||
SD1A687M0811MPG180 | SD1A687M0811MPG180 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD1A687M0811MPG180.pdf | ||
CI-B1005-15NJJT | CI-B1005-15NJJT CTC SMD | CI-B1005-15NJJT.pdf | ||
IT8716F-S DXS | IT8716F-S DXS ITE QFP | IT8716F-S DXS.pdf | ||
IXTP50N085T | IXTP50N085T IXYS TO-220 | IXTP50N085T.pdf | ||
PIC12C671T-04I/SM060 | PIC12C671T-04I/SM060 MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC12C671T-04I/SM060.pdf |