창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7107DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7107DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 15.3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 450µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SI7107DN-T1-E3CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7107DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7107DN, SI7107DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SR211C102KAATR1 | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C102KAATR1.pdf | ||
2256-42K | 2.7mH Unshielded Molded Inductor 131mA 23 Ohm Max Axial | 2256-42K.pdf | ||
108R-183KS | 18µH Unshielded Inductor 75mA 4.4 Ohm Max 2-SMD | 108R-183KS.pdf | ||
160-271FS | 270nH Unshielded Inductor 1.025A 120 mOhm Max 2-SMD | 160-271FS.pdf | ||
MCW0406MD2871BP100 | RES SMD 2.87K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD2871BP100.pdf | ||
RCS08058K20JNEA | RES SMD 8.2K OHM 5% 0.4W 0805 | RCS08058K20JNEA.pdf | ||
SPP2UL1R50JLF | RES 1.5 OHM 2W 5% AXIAL | SPP2UL1R50JLF.pdf | ||
NLH252018T027J | NLH252018T027J TDK 2520 | NLH252018T027J.pdf | ||
C2012JF1E224Z | C2012JF1E224Z TDK SMD or Through Hole | C2012JF1E224Z.pdf | ||
NX3L2G384GT | NX3L2G384GT NXP SMD or Through Hole | NX3L2G384GT.pdf |