창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5933CDC-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI5933CDC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 144m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 276pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI5933CDC-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI5933CDC, SI5933CDC-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 4308R-102-332 | RES ARRAY 4 RES 3.3K OHM 8SIP | 4308R-102-332.pdf | |
![]() | MS46LR-30-700-Q1-10X-10R-NO-FP | SYSTEM | MS46LR-30-700-Q1-10X-10R-NO-FP.pdf | |
![]() | 25PR100-T10 | 25PR100-T10 BI SMD or Through Hole | 25PR100-T10.pdf | |
![]() | PC100/322620R/0364804CT3B36 | PC100/322620R/0364804CT3B36 IBM DIMM | PC100/322620R/0364804CT3B36.pdf | |
![]() | LMV358QPWRQ1 | LMV358QPWRQ1 TI TSSOP | LMV358QPWRQ1.pdf | |
![]() | XC3390PQ160 | XC3390PQ160 XILTNX QFP | XC3390PQ160.pdf | |
![]() | OZ888GSOL3N-C-O-TR | OZ888GSOL3N-C-O-TR MICRO QFN | OZ888GSOL3N-C-O-TR.pdf | |
![]() | MCB1608S101GA | MCB1608S101GA ORIGINAL SMD or Through Hole | MCB1608S101GA.pdf | |
![]() | 1S14 | 1S14 ST DIPSMD | 1S14.pdf | |
![]() | 82N27G-AF5-B-R | 82N27G-AF5-B-R UTC SOT23-5 | 82N27G-AF5-B-R.pdf | |
![]() | HYB39L256160AC | HYB39L256160AC INTEL BGA | HYB39L256160AC.pdf | |
![]() | 8825E-040-175 | 8825E-040-175 KEL SMD or Through Hole | 8825E-040-175.pdf |