창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5855CDC-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5855CDC | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | LITTLE FOOT® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 144m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 276pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5855CDC-T1-E3-ND SI5855CDC-T1-E3TR SI5855CDCT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5855CDC-T1-E3 | |
관련 링크 | SI5855CDC, SI5855CDC-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D102GLAAT | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102GLAAT.pdf | |
![]() | X28C512JIZ-15 | X28C512JIZ-15 INTERSIL SMD or Through Hole | X28C512JIZ-15.pdf | |
![]() | 1/2W 3V0 | 1/2W 3V0 ST SOP DIP | 1/2W 3V0.pdf | |
![]() | AXT332164 | AXT332164 panasonic Connector | AXT332164.pdf | |
![]() | 18047V50 | 18047V50 INFINEON SOP-14 | 18047V50.pdf | |
![]() | M1MA152AT1G | M1MA152AT1G ON SOT-23 | M1MA152AT1G.pdf | |
![]() | TC5690A1KEB-P11 | TC5690A1KEB-P11 BROADCOM BGA | TC5690A1KEB-P11.pdf | |
![]() | 74ACTQ574SC | 74ACTQ574SC FAIRCHILD SOP20 | 74ACTQ574SC.pdf | |
![]() | LM5010AEVAL | LM5010AEVAL NS High Voltage 1A Step | LM5010AEVAL.pdf | |
![]() | RMW200N03FU7TB | RMW200N03FU7TB Rohm SOP8 | RMW200N03FU7TB.pdf |