창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5515CDC-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI5515CDC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 632pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI5515CDC-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5515CDC, SI5515CDC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MAL219691205E3 | 15F Supercap 7V Coin, Stacked Vertical 3 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 85°C 0.472" Dia (12.00mm) | MAL219691205E3.pdf | |
![]() | MA4L031-186 | DIODE PIN BONDED STRIPLINE SI | MA4L031-186.pdf | |
![]() | BD439G | TRANS NPN 60V 4A TO-225AA | BD439G.pdf | |
![]() | IXGY2N120 | IGBT 1200V 5A 25W TO252AA | IXGY2N120.pdf | |
![]() | 361 GREEN | 361 GREEN ORIGINAL NEW | 361 GREEN.pdf | |
![]() | 81N26G-H SOT-23 T/R | 81N26G-H SOT-23 T/R UTC SMD or Through Hole | 81N26G-H SOT-23 T/R.pdf | |
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![]() | A-AI-2 | A-AI-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | A-AI-2.pdf | |
![]() | 98EX-BCD | 98EX-BCD MARVE SMD or Through Hole | 98EX-BCD.pdf | |
![]() | MP850-1.00K-5% | MP850-1.00K-5% CADDOCK TO-220-2 | MP850-1.00K-5%.pdf | |
![]() | H5MS5132EFR-E3M | H5MS5132EFR-E3M hynix FBGA. | H5MS5132EFR-E3M.pdf | |
![]() | MKT1822-510/256D | MKT1822-510/256D ROEDERSTEIN SMD or Through Hole | MKT1822-510/256D.pdf |