창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4966DY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4966DY | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7.1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4966DY-T1-E3-ND SI4966DY-T1-E3TR SI4966DYT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4966DY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4966DY, SI4966DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SCB73C-2R2 | 2.2µH Shielded Inductor 5.3A 28 mOhm Max Nonstandard | SCB73C-2R2.pdf | |
![]() | RNCF0805DKC44R2 | RES SMD 44.2 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RNCF0805DKC44R2.pdf | |
![]() | CRGV2512F3M16 | RES SMD 3.16M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F3M16.pdf | |
![]() | RI-I02-114B-S1 | RI-I02-114B-S1 TI SMD or Through Hole | RI-I02-114B-S1.pdf | |
![]() | AM437 | AM437 AMG SOP16 | AM437.pdf | |
![]() | IOR420P126 | IOR420P126 ORIGINAL SMD or Through Hole | IOR420P126.pdf | |
![]() | LMH0002SQE NOPB | LMH0002SQE NOPB NS LLP | LMH0002SQE NOPB.pdf | |
![]() | H7662IBD | H7662IBD HAR SOP14 | H7662IBD.pdf | |
![]() | E28F016SA10050 | E28F016SA10050 INT TSOP1 | E28F016SA10050.pdf | |
![]() | MT29F8G08AAWP | MT29F8G08AAWP ORIGINAL TSSOP | MT29F8G08AAWP.pdf | |
![]() | AQW225N(Y,S) | AQW225N(Y,S) NAIS/ null | AQW225N(Y,S).pdf |