창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4946BEY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4946BEY | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 840pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4946BEY-T1-E3TR SI4946BEYT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4946BEY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4946BEY, SI4946BEY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | B41858C5188M9 | 1800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 38 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41858C5188M9.pdf | |
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![]() | PG0085.103NL | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 182 mOhm Max Nonstandard | PG0085.103NL.pdf | |
| CD43NP-180MC | 18µH Unshielded Inductor 740mA 338 mOhm Max Nonstandard | CD43NP-180MC.pdf | ||
![]() | PHP00603E4931BBT1 | RES SMD 4.93K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E4931BBT1.pdf | |
![]() | PLCC68LASEP | PLCC68LASEP ORBIT PLCC | PLCC68LASEP.pdf | |
![]() | B32537B1106J000 | B32537B1106J000 EPCOS SMD or Through Hole | B32537B1106J000.pdf | |
![]() | MAX1917EEE-TG | MAX1917EEE-TG MAXIM QSOP16 | MAX1917EEE-TG.pdf | |
![]() | DD160F-60 | DD160F-60 SANREX SMD or Through Hole | DD160F-60.pdf | |
![]() | CIF02001-ON | CIF02001-ON SAURO Call | CIF02001-ON.pdf |