창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4925BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4925BDY | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4925BDY-T1-E3TR SI4925BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4925BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4925BDY, SI4925BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
BFC238554303 | 0.03µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC238554303.pdf | ||
RMCF1210FT4K32 | RES SMD 4.32K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT4K32.pdf | ||
CRT0805-BW-10R0ELF | RES SMD 10 OHM 0.1% 1/8W 0805 | CRT0805-BW-10R0ELF.pdf | ||
Y16263K12000Q13R | RES SMD 3.12KOHM 0.02% 0.3W 1506 | Y16263K12000Q13R.pdf | ||
HMC389LP4ETR | RF IC VCO, Buffer Amp General Purpose 3.35GHz ~ 3.55GHz 24-QFN (4x4) | HMC389LP4ETR.pdf | ||
IPI06N03 | IPI06N03 INFINEON TO-262 | IPI06N03.pdf | ||
HGA8001AIB | HGA8001AIB ORIGINAL SMD or Through Hole | HGA8001AIB.pdf | ||
EPF10K30RI2084 | EPF10K30RI2084 ALTERA QFP | EPF10K30RI2084.pdf | ||
TGA2706-SM | TGA2706-SM TRIQUINT SMD or Through Hole | TGA2706-SM.pdf | ||
2N7002(XHZ) | 2N7002(XHZ) NXP SOT23 | 2N7002(XHZ).pdf | ||
UUN1J221MNL1MS | UUN1J221MNL1MS nichicon SMD | UUN1J221MNL1MS.pdf | ||
OX16C954-PCC60-B | OX16C954-PCC60-B OXFORD PLCC68 | OX16C954-PCC60-B.pdf |