창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4925BDY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4925BDY | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1661 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 7.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4925BDY-T1-E3TR SI4925BDYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4925BDY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4925BDY, SI4925BDY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C0805C103J5GACTU | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C103J5GACTU.pdf | ||
1206ZC684KAT2A | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206ZC684KAT2A.pdf | ||
RL2512JK-070R15L | RES SMD 0.15 OHM 5% 1W 2512 | RL2512JK-070R15L.pdf | ||
KNP100JR-52-16R | RES 16 OHM 1W 5% AXIAL | KNP100JR-52-16R.pdf | ||
RIA308LTE101JH | RIA308LTE101JH N/A SMD or Through Hole | RIA308LTE101JH.pdf | ||
MSM6100-90NM | MSM6100-90NM QUALCOMM SMD or Through Hole | MSM6100-90NM.pdf | ||
2DP3B | 2DP3B CHINA SMD or Through Hole | 2DP3B.pdf | ||
MX93132FCG | MX93132FCG MX QFP | MX93132FCG.pdf | ||
IXSR40N60BD1 | IXSR40N60BD1 IXYS TO-247 | IXSR40N60BD1.pdf | ||
AWP20-7241-T-R | AWP20-7241-T-R ASM SMD or Through Hole | AWP20-7241-T-R.pdf | ||
PFR5 101J400J11L4 | PFR5 101J400J11L4 RIFA SMD or Through Hole | PFR5 101J400J11L4.pdf |