창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4890BDY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4890BDY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1535pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 5.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4890BDY-T1-GE3TR SI4890BDYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4890BDY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4890BDY, SI4890BDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PA1005.070NL | XFMR,CURRENT SENSE 1:70 NPB | PA1005.070NL.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF6652V | RES SMD 66.5K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF6652V.pdf | |
![]() | EL4425 | EL4425 ORIGINAL SMD | EL4425.pdf | |
![]() | SLV28-4 | SLV28-4 SEMTECH SOP8 | SLV28-4.pdf | |
![]() | LLQ1608-A1N8J | LLQ1608-A1N8J TOKO SMD or Through Hole | LLQ1608-A1N8J.pdf | |
![]() | BH34SA2WGUT | BH34SA2WGUT ROHM SMD or Through Hole | BH34SA2WGUT.pdf | |
![]() | TX1049NLT | TX1049NLT PULSE SOP-16 | TX1049NLT.pdf | |
![]() | Hifn7854PB4-3 | Hifn7854PB4-3 ORIGINAL BGA | Hifn7854PB4-3.pdf | |
![]() | 68685-408 | 68685-408 FCI SMD or Through Hole | 68685-408.pdf |