창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4864DY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4864DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 25A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4864DY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4864DY, SI4864DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2L02 | 2L02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2L02.pdf | |
![]() | A5V476M06AS7280 | A5V476M06AS7280 ORIGINAL SMD or Through Hole | A5V476M06AS7280.pdf | |
![]() | ADP3186JRUZ-REEL-ADI | ADP3186JRUZ-REEL-ADI ORIGINAL SMD or Through Hole | ADP3186JRUZ-REEL-ADI.pdf | |
![]() | Normal CRI Series | Normal CRI Series Sharp SMD or Through Hole | Normal CRI Series.pdf | |
![]() | R36MF1 | R36MF1 SHARP DIP7 | R36MF1.pdf | |
![]() | MC23001D | MC23001D SIEMENS DIP | MC23001D.pdf | |
![]() | STC9435COA | STC9435COA EPSON DIP24 | STC9435COA.pdf | |
![]() | D25TR1004K7-10 | D25TR1004K7-10 VISHAY SMD | D25TR1004K7-10.pdf | |
![]() | 7712AR | 7712AR TI SSOP-16 | 7712AR.pdf | |
![]() | LTC1761ES5 LTGH | LTC1761ES5 LTGH ORIGINAL SMD or Through Hole | LTC1761ES5 LTGH.pdf | |
![]() | EKZM6R3ETD221ME11D | EKZM6R3ETD221ME11D Chemi-con NA | EKZM6R3ETD221ME11D.pdf | |
![]() | KM681002BT-10 | KM681002BT-10 SEC TSOP | KM681002BT-10.pdf |