창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4838DY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4838DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 25A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 600mV @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4838DY-T1-E3TR SI4838DYT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4838DY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4838DY, SI4838DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402DRE07140KL | RES SMD 140K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE07140KL.pdf | |
![]() | PACUSB-U3Y6R | PACUSB-U3Y6R CMD/ON SMD or Through Hole | PACUSB-U3Y6R.pdf | |
![]() | 1214-202-1578 | 1214-202-1578 Deutsch NA | 1214-202-1578.pdf | |
![]() | LT3640IFE#PBF/EF | LT3640IFE#PBF/EF LT TSOP | LT3640IFE#PBF/EF.pdf | |
![]() | HZM8.2NB2TL 8.2V | HZM8.2NB2TL 8.2V HITACHI SOT23 | HZM8.2NB2TL 8.2V.pdf | |
![]() | 1015-385 | 1015-385 MOT DIP8 | 1015-385.pdf | |
![]() | 39VF800A70-4I-B3K | 39VF800A70-4I-B3K SST BGA | 39VF800A70-4I-B3K.pdf | |
![]() | UAF771BRC | UAF771BRC UA CDIP8 | UAF771BRC.pdf | |
![]() | SM6326CAV | SM6326CAV ORIGINAL PDIP28L | SM6326CAV.pdf | |
![]() | MRFE7S21210HS | MRFE7S21210HS FREESCALE SMD or Through Hole | MRFE7S21210HS.pdf |