창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4646DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4646DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1790pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4646DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4646DY, SI4646DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SBC1-680-651 | SBC1-680-651 SBC DIP | SBC1-680-651.pdf | ||
TDA7230 | TDA7230 ST DIP8 | TDA7230.pdf | ||
749DX475X9010A2P | 749DX475X9010A2P SPRAGUE ORIGINAL | 749DX475X9010A2P.pdf | ||
ADP3334BRZ | ADP3334BRZ AD SOP-8 | ADP3334BRZ.pdf | ||
WSA733-GTA | WSA733-GTA WS SMD or Through Hole | WSA733-GTA.pdf | ||
216T9NFBGABFH 9000) | 216T9NFBGABFH 9000) ATI BGA | 216T9NFBGABFH 9000).pdf | ||
ELS-315HWB | ELS-315HWB EVERLIGHT DIP | ELS-315HWB.pdf | ||
SCG4503-155.52MHZ V3.01 | SCG4503-155.52MHZ V3.01 Connor-Winfield SMT18 | SCG4503-155.52MHZ V3.01.pdf | ||
IPB031NE7N3 G TR | IPB031NE7N3 G TR Infineon SMD or Through Hole | IPB031NE7N3 G TR.pdf | ||
SMP8644 | SMP8644 SIGMA BGA | SMP8644.pdf | ||
MCM67H518FN | MCM67H518FN ORIGINAL PLCC | MCM67H518FN.pdf | ||
HZL301 | HZL301 HLB SMD or Through Hole | HZL301.pdf |