창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4634DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4634DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 5.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4634DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4634DY-, SI4634DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | M65849FP-630D | M65849FP-630D MITSUBISHI SOIC-32 | M65849FP-630D.pdf | |
![]() | T1086T | T1086T PULSE SMD16 | T1086T.pdf | |
![]() | 4212CN | 4212CN XR CDIP | 4212CN.pdf | |
![]() | 550220001 | 550220001 MLX na | 550220001.pdf | |
![]() | NNCD3.3G-T1/3.3V | NNCD3.3G-T1/3.3V NEC SOT-153 | NNCD3.3G-T1/3.3V.pdf | |
![]() | LTP283QV-F01-10A | LTP283QV-F01-10A Samsung SMD or Through Hole | LTP283QV-F01-10A.pdf | |
![]() | UCC2946U | UCC2946U UCC SOP | UCC2946U.pdf | |
![]() | IRGPC20M,D2 | IRGPC20M,D2 IR SMD or Through Hole | IRGPC20M,D2.pdf | |
![]() | FD9201M | FD9201M ORIGINAL PDIP | FD9201M.pdf | |
![]() | IPP065N06L | IPP065N06L Infineon TO-220 | IPP065N06L.pdf |