창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4630DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si4630DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 161nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6670pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4630DY-T1-GE3TR SI4630DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4630DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4630DY-, SI4630DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385311200JIP2T0 | 0.011µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385311200JIP2T0.pdf | |
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![]() | IRF4232PBF | IRF4232PBF IR SMD or Through Hole | IRF4232PBF.pdf | |
![]() | KT21P-DCV28A19.200MT | KT21P-DCV28A19.200MT KEC SMD or Through Hole | KT21P-DCV28A19.200MT.pdf | |
![]() | 24C08 / 24C16 | 24C08 / 24C16 ATMEL TSSOP | 24C08 / 24C16.pdf | |
![]() | SB080M0068A5S-1320 | SB080M0068A5S-1320 YAGEO DIP | SB080M0068A5S-1320.pdf | |
![]() | M29F160FT55N3E2/M29F160FT55N3F2 | M29F160FT55N3E2/M29F160FT55N3F2 MICRON TSOP-48 | M29F160FT55N3E2/M29F160FT55N3F2.pdf |