창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4620DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4620DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | LITTLE FOOT® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta), 7.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1040pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4620DY-T1-GE3TR SI4620DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4620DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4620DY-, SI4620DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PESD9V0V4UK,132 | TVS DIODE 9VWM 19VC SOT891 | PESD9V0V4UK,132.pdf | |
![]() | 1N5711W-7-F | DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123 | 1N5711W-7-F.pdf | |
![]() | CMF5514K300BEEB70 | RES 14.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5514K300BEEB70.pdf | |
![]() | HC4-HL AC120V | HC4-HL AC120V NAIS SMD or Through Hole | HC4-HL AC120V.pdf | |
![]() | LM3410XSDX | LM3410XSDX NSC QFN | LM3410XSDX.pdf | |
![]() | CL432 | CL432 CALOIC SOT-23 | CL432.pdf | |
![]() | IP175DLFI | IP175DLFI IC SMD or Through Hole | IP175DLFI.pdf | |
![]() | MAX9526ATJ | MAX9526ATJ MAXIM QFN | MAX9526ATJ.pdf | |
![]() | BB655-02V | BB655-02V INFINEON SC79 | BB655-02V.pdf | |
![]() | TUF-1LHSM+ | TUF-1LHSM+ Mini NA | TUF-1LHSM+.pdf | |
![]() | T8200280 | T8200280 Powerex Module | T8200280.pdf | |
![]() | SI8938 | SI8938 SI SOP8 | SI8938.pdf |