창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4505DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4505DY | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V, 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 3.8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4505DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4505DY-, SI4505DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
74451022 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 50 mOhm Max Nonstandard | 74451022.pdf | ||
LQW04AN10NJ00D | 10nH Unshielded Inductor 330mA 260 mOhm Max Nonstandard | LQW04AN10NJ00D.pdf | ||
RT0805BRD07180KL | RES SMD 180K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07180KL.pdf | ||
cst120mtv | cst120mtv ORIGINAL SMD or Through Hole | cst120mtv.pdf | ||
NE5532DG4 | NE5532DG4 TI SMD or Through Hole | NE5532DG4.pdf | ||
SLH0650-5R6M | SLH0650-5R6M YAGEO SMD | SLH0650-5R6M.pdf | ||
MC100EP90DTG | MC100EP90DTG ONS Call | MC100EP90DTG.pdf | ||
M306N4FCVGP#U0 | M306N4FCVGP#U0 RENESAS NA | M306N4FCVGP#U0.pdf | ||
BQ24212DQCT | BQ24212DQCT TI WSON10 | BQ24212DQCT.pdf | ||
SG1525AL | SG1525AL LINFINIT SMD or Through Hole | SG1525AL.pdf | ||
LTC3879IGN | LTC3879IGN LINEAR 2011 | LTC3879IGN.pdf | ||
BYS40-40 | BYS40-40 IR SMD or Through Hole | BYS40-40.pdf |