창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4448DY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4448DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 20A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12350pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4448DY-T1-E3TR SI4448DY-T1-GE3TR SI4448DY-T1-GE3TR-ND SI4448DYT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4448DY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4448DY, SI4448DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MAL214866682E3 | 6800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | MAL214866682E3.pdf | |
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![]() | FDC855N-NL | FDC855N-NL FAIRCHILD SOT23-6 | FDC855N-NL.pdf | |
![]() | 685K50D14L4 | 685K50D14L4 KEMET SMD or Through Hole | 685K50D14L4.pdf | |
![]() | XC3S500E-5VQG100I | XC3S500E-5VQG100I XILINX QFP100 | XC3S500E-5VQG100I.pdf | |
![]() | IDT74CBTLV3125PG | IDT74CBTLV3125PG IDT TSSOP-14 | IDT74CBTLV3125PG.pdf | |
![]() | ED-9P621355 | ED-9P621355 ORIGINAL DIP | ED-9P621355.pdf | |
![]() | MTPOO8P24 | MTPOO8P24 MYSON SOP | MTPOO8P24.pdf | |
![]() | B3BCJ | B3BCJ N/A SMD or Through Hole | B3BCJ.pdf |