창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4425DDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4425DDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.8m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2610pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4425DDY-T1-GE3-ND SI4425DDY-T1-GE3TR SI4425DDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4425DDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4425DDY, SI4425DDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C0402C122J4RACTU | 1200pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C122J4RACTU.pdf | ||
C0805C683K4RALTU | 0.068µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C683K4RALTU.pdf | ||
5972301213F | Green 570nm LED Indication - Discrete 1.8V 2-SMD, Boomerang | 5972301213F.pdf | ||
IXP150-218S2EBNA45 | IXP150-218S2EBNA45 ATI BGA | IXP150-218S2EBNA45.pdf | ||
TISP4145M3LM | TISP4145M3LM BOURNS TO92 | TISP4145M3LM.pdf | ||
0255004.V-,4A | 0255004.V-,4A ORIGINAL SMD or Through Hole | 0255004.V-,4A.pdf | ||
LOPL-E033MA | LOPL-E033MA LITEON ROHS | LOPL-E033MA.pdf | ||
5595901007 | 5595901007 DIL SMD or Through Hole | 5595901007.pdf | ||
F9142 | F9142 IR TO-3 | F9142.pdf | ||
224-4844-00-3327 | 224-4844-00-3327 M SMD or Through Hole | 224-4844-00-3327.pdf | ||
0501020WRT | 0501020WRT littelfuse SMD or Through Hole | 0501020WRT.pdf |