창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4413ADY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4413ADY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4413ADY-T1-E3TR SI4413ADYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4413ADY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4413ADY, SI4413ADY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
402F20033CKR | 20MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CKR.pdf | ||
TK10S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3 | TK10S04K3L(T6L1,NQ.pdf | ||
2SM155-200 | 2SM155-200 HITACHI SMD or Through Hole | 2SM155-200.pdf | ||
V19046G025 | V19046G025 JAPAN QFP44 | V19046G025.pdf | ||
AM82801IUX QS45 ES | AM82801IUX QS45 ES INTEL BGA | AM82801IUX QS45 ES.pdf | ||
LTV827CD-M | LTV827CD-M LITEON DIP | LTV827CD-M.pdf | ||
NFM61R00T361T1M0057 | NFM61R00T361T1M0057 murata SMD or Through Hole | NFM61R00T361T1M0057.pdf | ||
DACO832LCJ | DACO832LCJ NS SMD or Through Hole | DACO832LCJ.pdf | ||
683/0805 | 683/0805 ORIGINAL SMD or Through Hole | 683/0805.pdf | ||
MSF-A 1H473 | MSF-A 1H473 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSF-A 1H473.pdf | ||
Z0840006PSC(Z80CPU) | Z0840006PSC(Z80CPU) ZILOG DIP | Z0840006PSC(Z80CPU).pdf |