창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4408DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4408DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4408DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4408DY-, SI4408DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
416F26023ATR | 26MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023ATR.pdf | ||
RC1608F2150CS | RES SMD 215 OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F2150CS.pdf | ||
UPD78P4916GF-3BA | UPD78P4916GF-3BA NEC QFP | UPD78P4916GF-3BA.pdf | ||
FX3000-A1 | FX3000-A1 NVIDIA BGA | FX3000-A1.pdf | ||
DG2020DV-T1 | DG2020DV-T1 SLICONIX 3KR | DG2020DV-T1.pdf | ||
LH1571AT | LH1571AT VISHAY DIP-8 | LH1571AT.pdf | ||
FX009LG | FX009LG CML QFP | FX009LG.pdf | ||
OPIA403BTR | OPIA403BTR OPTEK SMD or Through Hole | OPIA403BTR.pdf | ||
MOC3062SR2V-M | MOC3062SR2V-M Fairchi SMD or Through Hole | MOC3062SR2V-M.pdf | ||
P82B715TD.112 | P82B715TD.112 NXP SMD or Through Hole | P82B715TD.112.pdf | ||
7A32F | 7A32F ORIGINAL SOT23-8 | 7A32F.pdf | ||
CMS30I30A(TE12L,Q | CMS30I30A(TE12L,Q TOSHIBA M-FLAT | CMS30I30A(TE12L,Q.pdf |