창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4288DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI4288DY | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 580pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4288DY-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4288DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4288DY-, SI4288DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F406XXADT | 40.61MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406XXADT.pdf | |
![]() | KRA223S-RTK | KRA223S-RTK KEC SMD or Through Hole | KRA223S-RTK.pdf | |
![]() | R218001 | R218001 LITTELFUSE SMD or Through Hole | R218001.pdf | |
![]() | CS61574-ID | CS61574-ID ORIGINAL SMD or Through Hole | CS61574-ID.pdf | |
![]() | LTC2981BIGN | LTC2981BIGN LT SMD or Through Hole | LTC2981BIGN.pdf | |
![]() | DARJ | DARJ ORIGINAL SMD or Through Hole | DARJ.pdf | |
![]() | PCI20-330M-RC | PCI20-330M-RC ALLIED NA | PCI20-330M-RC.pdf | |
![]() | HZF2.0CPTR | HZF2.0CPTR HITACHI SMD or Through Hole | HZF2.0CPTR.pdf | |
![]() | CHP11003R00J | CHP11003R00J IRC SMD or Through Hole | CHP11003R00J.pdf | |
![]() | LMC6574B1M | LMC6574B1M NS SOP-14 | LMC6574B1M.pdf | |
![]() | 400V473 | 400V473 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V473.pdf | |
![]() | R0P101116FN | R0P101116FN TI PLCC44 | R0P101116FN.pdf |