창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4286DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si4286DY | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32.5m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 375pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4286DY-T1-GE3TR SI4286DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI4286DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4286DY-, SI4286DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 9C-48.000MBBK-T | 48MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-48.000MBBK-T.pdf | |
![]() | PA7024-1 | PA7024-1 ICT SMD or Through Hole | PA7024-1.pdf | |
![]() | A1170 | A1170 ORIGINAL TO-3PL | A1170.pdf | |
![]() | PH-1100K | PH-1100K ORIGINAL NEW | PH-1100K.pdf | |
![]() | SRF1575NAC4-TB12R | SRF1575NAC4-TB12R TOSHIBA SMD or Through Hole | SRF1575NAC4-TB12R.pdf | |
![]() | CM740175 | CM740175 ICS SOP-56L | CM740175.pdf | |
![]() | RD13S-T1 B2 | RD13S-T1 B2 STMSOUTH SOT-2 | RD13S-T1 B2.pdf | |
![]() | H994V0503 | H994V0503 ST TSSOP-28 | H994V0503.pdf | |
![]() | BKS-107-01-L-V-TR | BKS-107-01-L-V-TR SAMTEC SMD or Through Hole | BKS-107-01-L-V-TR.pdf | |
![]() | G5626P | G5626P ON na | G5626P.pdf | |
![]() | U0805C300JNT | U0805C300JNT ORIGINAL SMD or Through Hole | U0805C300JNT.pdf | |
![]() | RKBPC1000W | RKBPC1000W WTE/ SMD or Through Hole | RKBPC1000W.pdf |