Vishay BC Components SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI4214DY-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI4214DY-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 313.51560
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI4214DY-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI4214DY-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI4214DY-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI4214DY-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI4214DY-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI4214DY-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI4214DY
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs23.5m옴 @ 7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds785pF @ 15V
전력 - 최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI4214DY-T1-GE3
관련 링크SI4214DY-, SI4214DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI4214DY-T1-GE3 의 관련 제품
RELAY GENERAL PURPOSE SZRMY41PAC110120V.pdf
RES SMD 10 OHM 1% 1/5W 0603 CRGH0603F10R.pdf
RES 180 OHM 35W 1% TO220 PF2203-180RF1.pdf
917631-7 AMP SMD or Through Hole 917631-7.pdf
TLC066CP TI DIP8 TLC066CP.pdf
TDA8840 PHILIPS DIP TDA8840.pdf
ADSP-21MSP50-KG-52X AD FPG ADSP-21MSP50-KG-52X.pdf
1SV283/TE TOSHIBA SOD-523 1SV283/TE.pdf
C0805T222K1RCLTM KEMET SMD C0805T222K1RCLTM.pdf
TW-09-05-G-D-389-062 SAMTEC SMD or Through Hole TW-09-05-G-D-389-062.pdf
CYD36S72V18-200BGX Cypress SMD or Through Hole CYD36S72V18-200BGX.pdf
PCF7321ATS/B2505,1 NXP SMD or Through Hole PCF7321ATS/B2505,1.pdf