창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4214DDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4214DDY | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19.5m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4214DDY-T1-GE3-ND SI4214DDY-T1-GE3TR SI4214DDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4214DDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4214DDY, SI4214DDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
135D167X9050K6 | 160µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 50V Axial 1.5 Ohm 0.390" Dia x 1.062" L (9.91mm x 26.97mm) | 135D167X9050K6.pdf | ||
SMBJ4754C/TR13 | DIODE ZENER 39V 2W SMBJ | SMBJ4754C/TR13.pdf | ||
DB045155WJ27238BK1 | 2700pF Feed Through Capacitor 14000V (14kV) 25A Axial - Threaded Terminals | DB045155WJ27238BK1.pdf | ||
HT1380 DIP | HT1380 DIP HT DIP | HT1380 DIP.pdf | ||
S812C50AUA C3E T2 | S812C50AUA C3E T2 SEIKO SMD or Through Hole | S812C50AUA C3E T2.pdf | ||
XP162 | XP162 ORIGINAL SMD or Through Hole | XP162.pdf | ||
58190A2 | 58190A2 MAGNETICS SMD or Through Hole | 58190A2.pdf | ||
ZHL-0812HLNX | ZHL-0812HLNX MINI SMD or Through Hole | ZHL-0812HLNX.pdf | ||
922IY | 922IY N/A NC | 922IY.pdf | ||
MP048T | MP048T NSC SOP20 | MP048T.pdf | ||
206-3RAST | 206-3RAST CTS SMD or Through Hole | 206-3RAST.pdf | ||
B45196H3686M39V10 | B45196H3686M39V10 EPCOS C6032 | B45196H3686M39V10.pdf |