창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4134DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4134DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 846pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4134DY-T1-GE3-ND SI4134DY-T1-GE3TR SI4134DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4134DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4134DY-, SI4134DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AC-33-18E-33.333333Y | OSC XO 1.8V 33.333333MHZ OE | SIT8008AC-33-18E-33.333333Y.pdf | |
![]() | B82498F3331J1 | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.5 Ohm Max 2-SMD | B82498F3331J1.pdf | |
![]() | HS50 12R F | RES CHAS MNT 12 OHM 1% 50W | HS50 12R F.pdf | |
![]() | B58600D8010A11 | Pressure Sensor 36.26 PSI (250 kPa) Absolute 0 mV ~ 120 mV (5V) Die | B58600D8010A11.pdf | |
![]() | S1701N2525-I8T1G | S1701N2525-I8T1G SII N A | S1701N2525-I8T1G.pdf | |
![]() | 4520BDM | 4520BDM F DIP | 4520BDM.pdf | |
![]() | UN620666 | UN620666 UM SOP | UN620666.pdf | |
![]() | MSS1038-154KL | MSS1038-154KL COILCRA SMD | MSS1038-154KL.pdf | |
![]() | LT1575CS8-1.5#TRPB | LT1575CS8-1.5#TRPB LT SOP | LT1575CS8-1.5#TRPB.pdf | |
![]() | DF-2100 | DF-2100 N/A SMD or Through Hole | DF-2100.pdf | |
![]() | UPC5022CT-083 | UPC5022CT-083 NEC DIP30 | UPC5022CT-083 .pdf | |
![]() | KWHIF0805-82NJT | KWHIF0805-82NJT N/A SMD | KWHIF0805-82NJT.pdf |