창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4126DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4126DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.75m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4405pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4126DY-T1-GE3TR SI4126DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4126DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4126DY-, SI4126DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
B43501A9227M | 220µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 300 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A9227M.pdf | ||
RT0603BRD07390KL | RES SMD 390K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD07390KL.pdf | ||
2450R87680003 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2450R87680003.pdf | ||
SDED5-002G-AC | SDED5-002G-AC Sandisk BGA | SDED5-002G-AC.pdf | ||
74ABT541CSC | 74ABT541CSC FSC Call | 74ABT541CSC.pdf | ||
ICS413M-02 | ICS413M-02 ICS SOP8 | ICS413M-02.pdf | ||
TLP250 (DIP) | TLP250 (DIP) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP250 (DIP).pdf | ||
PIC10F200-E/OT | PIC10F200-E/OT MICROCHIP SOT-23-6 | PIC10F200-E/OT.pdf | ||
R5609H | R5609H RET CDIP8 | R5609H.pdf | ||
3SK132A-T1-E3 | 3SK132A-T1-E3 NEC SOT143 | 3SK132A-T1-E3.pdf | ||
TIBPAL20R6-10MJTB | TIBPAL20R6-10MJTB TIS Call | TIBPAL20R6-10MJTB.pdf | ||
TS5205CX512RFG | TS5205CX512RFG ORIGINAL SOT23-5 | TS5205CX512RFG.pdf |