창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4116DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4116DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1925pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4116DY-T1-GE3TR SI4116DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4116DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4116DY-, SI4116DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
K183K20X7RL5TH5 | 0.018µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K183K20X7RL5TH5.pdf | ||
G3VM-81GR1 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm) | G3VM-81GR1.pdf | ||
TNPW121034K8BEEA | RES SMD 34.8K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121034K8BEEA.pdf | ||
M50931-011FP | M50931-011FP MOT QFP | M50931-011FP.pdf | ||
LQW15AN2N7D10D | LQW15AN2N7D10D MURATA SMD | LQW15AN2N7D10D.pdf | ||
TLE2024 | TLE2024 SOIC TI | TLE2024.pdf | ||
DAT1521N | DAT1521N ORIGINAL SMD or Through Hole | DAT1521N.pdf | ||
S251S-D10 | S251S-D10 ABB SMD or Through Hole | S251S-D10.pdf | ||
MAX853ESA(SMD) D/C98 | MAX853ESA(SMD) D/C98 MAX SMD or Through Hole | MAX853ESA(SMD) D/C98.pdf | ||
RLR05C1820FR | RLR05C1820FR VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RLR05C1820FR.pdf | ||
BU4236G | BU4236G ROHM SMD or Through Hole | BU4236G.pdf |