창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3493BDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3493BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27.5m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1805pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.97W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3493BDV-T1-GE3TR SI3493BDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3493BDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3493BDV, SI3493BDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EXB-N8V303JX | RES ARRAY 4 RES 30K OHM 0804 | EXB-N8V303JX.pdf | ||
MT6326EN | MT6326EN MEDIATEK QFN | MT6326EN.pdf | ||
MMBTA42ALT1 | MMBTA42ALT1 ON SOT23 | MMBTA42ALT1.pdf | ||
BW630EAG-3P | BW630EAG-3P FUJI SMD or Through Hole | BW630EAG-3P.pdf | ||
H9731#Q54 | H9731#Q54 AVAGO ZIP-4 | H9731#Q54.pdf | ||
R4128 | R4128 ERICSSON QFN48 | R4128.pdf | ||
5.5V0.010F | 5.5V0.010F NEC/TOKIN SMD or Through Hole | 5.5V0.010F.pdf | ||
SKD72/08 | SKD72/08 SEMIKRON MODULE | SKD72/08.pdf | ||
49FCT806 | 49FCT806 IDT SOP20 | 49FCT806.pdf | ||
IR21851S | IR21851S IOR SOP8 | IR21851S.pdf | ||
SN54HCT192J | SN54HCT192J TI CDIP | SN54HCT192J.pdf | ||
KS555 | KS555 SAMSUNG DIP8 | KS555.pdf |