창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI3477DV-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI3477DV | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.5m옴 @ 9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 4.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI3477DV-T1-GE3TR SI3477DVT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI3477DV-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI3477DV-, SI3477DV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRM1206-JX-R150ELF | RES SMD 0.15 OHM 5% 1/2W 1206 | CRM1206-JX-R150ELF.pdf | |
![]() | CMF55374R00FHEB | RES 374 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55374R00FHEB.pdf | |
![]() | CMF552K2100DHRE | RES 2.21K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF552K2100DHRE.pdf | |
![]() | Y0062503R000V0L | RES 503 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062503R000V0L.pdf | |
![]() | DP11SV2020B25S | DP11S VER 20P 20DET 25S M7*7MM | DP11SV2020B25S.pdf | |
![]() | DQ7534-471M | DQ7534-471M Coev NA | DQ7534-471M.pdf | |
![]() | BIT3715GREEN | BIT3715GREEN BITEK SOP-16 | BIT3715GREEN.pdf | |
![]() | GE3 | GE3 GE SMD or Through Hole | GE3.pdf | |
![]() | PMI707JR | PMI707JR PMI SOP | PMI707JR.pdf | |
![]() | 2SB1370F | 2SB1370F ROHM TO220FP | 2SB1370F.pdf | |
![]() | 2SA1020-Y(TE6.F) | 2SA1020-Y(TE6.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1020-Y(TE6.F).pdf | |
![]() | LM4250CIM | LM4250CIM NS SOP-8 | LM4250CIM.pdf |