창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3459BDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3459BDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 216m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3459BDV-T1-GE3TR SI3459BDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3459BDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3459BDV, SI3459BDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
39516300440 | FUSE BOARD MOUNT 6.3A 125VAC RAD | 39516300440.pdf | ||
XL-1C-010.0M | 10MHz ±50ppm 수정 16pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XL-1C-010.0M.pdf | ||
MP147 | 14.7456MHz ±30ppm 수정 시리즈 25옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | MP147.pdf | ||
H4P130RFCA | RES 130 OHM 1W 1% AXIAL | H4P130RFCA.pdf | ||
MLS0805-4S7-10 | MLS0805-4S7-10 FERROXCU SMD or Through Hole | MLS0805-4S7-10.pdf | ||
L39/U-AT | L39/U-AT ORIGINAL QFP | L39/U-AT.pdf | ||
S1024AS-330M | S1024AS-330M TOKO SMD or Through Hole | S1024AS-330M.pdf | ||
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CRUSH12 | CRUSH12 NVIDIA SMD or Through Hole | CRUSH12.pdf | ||
015Z5.6-X | 015Z5.6-X TOSHIBA SOD-523 | 015Z5.6-X.pdf | ||
MC1391AP | MC1391AP MOT DIP8 | MC1391AP.pdf |