창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3457CDV-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI3457CDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 74m옴 @ 4.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3457CDV-T1-GE3-ND SI3457CDV-T1-GE3TR SI3457CDVT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI3457CDV-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI3457CDV, SI3457CDV-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
250R05L2R4BV4T | 2.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L2R4BV4T.pdf | ||
HA11726 | HA11726 HITACHI DIP-28 | HA11726.pdf | ||
HD6432241A08FA | HD6432241A08FA HITACHI QFP | HD6432241A08FA.pdf | ||
DP906C TO220-5L | DP906C TO220-5L ORIGINAL TO220-5L | DP906C TO220-5L.pdf | ||
PC417J00000F | PC417J00000F SHARP SOP5 | PC417J00000F.pdf | ||
1206 Y5V 156 M 160NT | 1206 Y5V 156 M 160NT ZTJ 1206 | 1206 Y5V 156 M 160NT.pdf | ||
BE5L11 | BE5L11 AP SOP8 | BE5L11.pdf | ||
TLP731-GB | TLP731-GB TOS SOP-6 | TLP731-GB.pdf | ||
M35072-059FP-T4 | M35072-059FP-T4 MIT SSOP20 | M35072-059FP-T4.pdf | ||
LQN2AR12K04M00 | LQN2AR12K04M00 muRata ChipCoil | LQN2AR12K04M00.pdf | ||
ECWU1153KC9 | ECWU1153KC9 panasonic SMD or Through Hole | ECWU1153KC9.pdf | ||
GP2A22LC | GP2A22LC SHARP DIP | GP2A22LC.pdf |