창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI3442BDV-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI3442BDV | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 860mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI3442BDV-T1-E3TR SI3442BDVT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI3442BDV-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI3442BDV, SI3442BDV-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MAL215263229E3 | 22µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | MAL215263229E3.pdf | |
![]() | SY100EPT23LZI | SY100EPT23LZI MICREL SMD or Through Hole | SY100EPT23LZI.pdf | |
![]() | SIA814DJ-T1-GE3 | SIA814DJ-T1-GE3 VISHAY SC70-6 | SIA814DJ-T1-GE3.pdf | |
![]() | 2SD1859-Q | 2SD1859-Q ROHM TO-92LM | 2SD1859-Q.pdf | |
![]() | LQH1C220KK04M | LQH1C220KK04M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH1C220KK04M.pdf | |
![]() | ADIC-S04 | ADIC-S04 ST SSOP28 | ADIC-S04.pdf | |
![]() | TC50H00F | TC50H00F TOSHIBA SMD or Through Hole | TC50H00F.pdf | |
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![]() | PS2561-2A | PS2561-2A NEC DIP8 | PS2561-2A.pdf | |
![]() | NTS60X7R1E226MT | NTS60X7R1E226MT NIPPON SMD | NTS60X7R1E226MT.pdf | |
![]() | EP1C3T144C8N1440 | EP1C3T144C8N1440 ALTTERA QFP | EP1C3T144C8N1440.pdf |