창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2337DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2337DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2337DS-T1-GE3-ND SI2337DS-T1-GE3TR SI2337DST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2337DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2337DS-, SI2337DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | EXB-2HV563JV | RES ARRAY 8 RES 56K OHM 1506 | EXB-2HV563JV.pdf | |
![]() | IGP01N120H | IGP01N120H INFINEON TO-220 | IGP01N120H.pdf | |
![]() | MCC71-12IOIB | MCC71-12IOIB IXYS SMD or Through Hole | MCC71-12IOIB.pdf | |
![]() | 74AHC1G09GV,125 | 74AHC1G09GV,125 NXP SMD or Through Hole | 74AHC1G09GV,125.pdf | |
![]() | BQ24103RHLR-G4 | BQ24103RHLR-G4 TI SMD or Through Hole | BQ24103RHLR-G4.pdf | |
![]() | PCIMX32VK5 | PCIMX32VK5 FREESCALE BGA | PCIMX32VK5.pdf | |
![]() | TLE5011(5011) | TLE5011(5011) INFINEON SOP8 | TLE5011(5011).pdf | |
![]() | ML-1000-4H5 | ML-1000-4H5 SATOPARTSCOLTD SMD or Through Hole | ML-1000-4H5.pdf | |
![]() | 57F-50MB | 57F-50MB ORIGINAL SMD or Through Hole | 57F-50MB.pdf | |
![]() | INQS24 | INQS24 BI SSOP | INQS24.pdf | |
![]() | SY197/8K | SY197/8K SY SMD or Through Hole | SY197/8K.pdf | |
![]() | AOT-6060HPW-0305BD | AOT-6060HPW-0305BD AOT 1000R | AOT-6060HPW-0305BD.pdf |