창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2333CDS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si2333CDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 5.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1225pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2333CDS-T1-E3TR SI2333CDST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2333CDS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2333CDS, SI2333CDS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808A470KBRAT4X | 47pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A470KBRAT4X.pdf | |
![]() | 3EZ82D/TR12 | DIODE ZENER 82V 3W DO204AL | 3EZ82D/TR12.pdf | |
![]() | AD7943BN | AD7943BN AD DIP | AD7943BN.pdf | |
![]() | AD9066LR | AD9066LR ADI QQ- | AD9066LR.pdf | |
![]() | TPS 22902BYFPR | TPS 22902BYFPR TI DSBGA4 | TPS 22902BYFPR.pdf | |
![]() | RFANT5220100A09FNH | RFANT5220100A09FNH WNSIN SMD | RFANT5220100A09FNH.pdf | |
![]() | ADADC711D | ADADC711D AD DIP | ADADC711D.pdf | |
![]() | M29F040B70N1 | M29F040B70N1 ST TSOP | M29F040B70N1.pdf | |
![]() | TLV5639CPWR | TLV5639CPWR TexasInstruments SMD or Through Hole | TLV5639CPWR.pdf | |
![]() | FX6-20P-0.8SV | FX6-20P-0.8SV HRS SMD or Through Hole | FX6-20P-0.8SV.pdf | |
![]() | LWS10HP | LWS10HP MOTORML QFP64 | LWS10HP.pdf | |
![]() | ESMH251VQT122MB35T | ESMH251VQT122MB35T NIPPONCHEMI-COM DIP | ESMH251VQT122MB35T.pdf |