창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2325DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2325DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 530mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2325DS-T1-GE3TR SI2325DST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2325DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2325DS-, SI2325DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
TZQ5223B-GS18 | DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD80 | TZQ5223B-GS18.pdf | ||
RT0402BRE072K05L | RES SMD 2.05KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE072K05L.pdf | ||
AT49F020-90TC | AT49F020-90TC ATMEL SMD or Through Hole | AT49F020-90TC.pdf | ||
C0402-0.75PC/50V | C0402-0.75PC/50V MURATA SMD or Through Hole | C0402-0.75PC/50V.pdf | ||
R8A01 | R8A01 ORIGINAL BGA | R8A01.pdf | ||
2900439-1 | 2900439-1 INTERSIL CLCC20 | 2900439-1.pdf | ||
D1212D-1W | D1212D-1W MORNSUN DIP | D1212D-1W.pdf | ||
NP3100SC1T3G | NP3100SC1T3G ON SMD or Through Hole | NP3100SC1T3G.pdf | ||
3-967415-1 | 3-967415-1 Tyco con | 3-967415-1.pdf | ||
LT1610CS8#PBF | LT1610CS8#PBF LINEAR SOIC-8 | LT1610CS8#PBF.pdf | ||
2SA1797T106Q/R | 2SA1797T106Q/R ROHM N A | 2SA1797T106Q/R.pdf | ||
EHT10501SD | EHT10501SD SAT SMD or Through Hole | EHT10501SD.pdf |